كشفت شركتا إنتل وميكرون Micron النقاب عن تقنية مبتكرة للذواكر، أطلقتا عليها اسم 3D XPoint (تُقرأ: "3D CrossPoint  ثري دي كروس بوينت")، وقالتا إنها ستغير صناعة الذواكر جذريا.   وأوضحت الشركتان أن "ثري دي كروس بوينت" صنف جديد من الذواكر التي لديها القابلية للاستخدام كذاكرة وصول عشوائي "رام RAM"، وذاكرة تخزين داخلية SSD، معا.   وتزعم إنتل وميكرون أن التقنية "الثورية" تعد اختراقا علميا في مجال تقنيات معالجة الذواكر، فهي الأولى الجديدة منذ إطلاق تقنية الذواكر الفلاشية "ناند NAND" منذ نحو 25 عاما.   واوضحت الشركتان إن الذواكر الجديدة تمتاز بأنها سريعة ومتينة للغاية، فهي أسرع بألف مرة – في كل من سرعات القراءة والكتابة – ثم إن لها القدرة على التحمل أكثر من ذاكرة الفلاش NAND المستخدمة حاليا في "أقراص التخزين الساكنة SSD".   واكدت إنتل وميكرون أن ذواكر "ثري دي كروس بوينت" تمتاز بأنها أكثف بعشرة أضعاف، مما يؤدي إلى المزيد من سعة التخزين في نفس الحيز المادي، فيما تحافظ على نفس فعالية وتوافرية ذواكر NAND الحالية.   وشدد مارك دوركان، الرئيس التنفيذي لشركة ميكرون، على أنه لا ينبغي الخلط بين التقنية الجديدة وبين ذاكرة "ثري دي فلاش 3D Flash" المستخدمة في أحدث أقراص SSD التي تنتجها ميكرون، لأن ذواكر "ثري دي كروس بوينت" فئة جديدة تماما من الذواكر.   ووفقا لنائب رئيس إنتل، روب كروك، ستُستخدم ذواكر "ثري دي كروس بوينت" بادئ الأمر مع واجهة "بي سي آي إكسبريس PCIe" نظرا لكونها الأكثر استخداما في الحواسيب الشخصية، ثم إن لديها أكبر سرعة ناقل من أي واجهة طرفيات أخرى في الوقت الحالي.   ومع ذلك، ولما كانت واجهة PCIe غير قادرة حتى الآن على التعامل مع السرعة المحتملة لذواكر "ثري دي كروس بوينت"، ترى الشركتان إنه سيكون من الواجب في المستقبل تطوير طرق جديدة لذلك، وقد يتطلب الأمر بنية جديدة كليا للوحات الأم.